晶圆表面等离子蚀刻均匀性控制技术的进步

摘要

随着半导体的特征尺寸越来越小,其设计的复杂度日益增加。这就要求蚀刻工艺必须在更高粒度化层面具备复杂的调节能力,以满足更严格的均匀性要求。在工艺均匀性管理工作链中,晶圆表面等离子蚀刻的控制是一大关键因素,这些均匀性管理工作包括减少管芯间、晶圆间以及蚀刻腔间的差异性。正如本文讨论的,