Plasma Diagnostics ; Silicon ; Chlorine ; Etching ; Helium ; Microelectronics ; Monitoring ; Plasma ; Semiconductor Materials;
机译:Cl_2 / O_2等离子体中多晶硅栅刻蚀过程中特征轮廓演变和微观均匀性的模型分析
机译:刻蚀气体对纳米尺寸图形多晶硅薄膜高密度等离子体刻蚀的影响
机译:使用神经网络通过在CHF_3 / CF_4等离子体中进行蚀刻来模拟蚀刻速率和氧化物均匀性
机译:使用蚀刻等离子体的光发射光谱法对多晶硅蚀刻室中的沉积量进行原位定量
机译:电感耦合等离子体刻蚀反应器中离子流和硅刻蚀速率的二维均匀性
机译:玻璃纤维后胶结后蚀刻漂洗和自蚀刻胶粘剂体系对树脂胶粘剂硬度均匀性的影响
机译:电感耦合AR / CL2等离子体蚀刻中具有GaN蚀刻速率的光发射和离子磁通的相关性
机译:用于监测氯 - 氦等离子体中多晶硅的等离子体蚀刻期间的蚀刻均匀性的光学诊断仪器。