用于FPGA的高速写入配置信息和抵抗辐射的SRAM存储单元制备方法

摘要

本发明属于集成电路领域，提供了针对FPGA提出一种既能高速写入配置信息，又能抵抗辐射的SRAM存储单元电路设计方法。本发明写入正常数据时，存储单元中有一个反相器的电源线暂时断开，以便数据能快速写入存储节点，然后再将暂时断开的电源线重新连接到高电平，以便写入存储节点的数据稳定存储；本发明还在SRAM单元存储节点之间数据传输通道上插入NMOS晶体管，在写入存储节点的数据稳定存储后，设置NMOS管栅极电压值为较小值，增加数据传输延迟，使一个存储节点上因辐射发生的数值变化短时内不会造成另一存储节点存储的正确数值发生变化，待辐射效应消失后，保持正确数值的存储节点通过反相器驱动发生错误的存储节点恢复正确值，从而使存储单元具有抗辐射特性。