机译:用于低功耗65 nm FD-SOI / SON CMOS技术的高速减少泄漏的SRAM存储单元设计技术
Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata 700032, India;
Department of Electronics and Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata 700032, India;
Silicon on Insulator technology; Silicon on Nothing technology; On-chip cache; SRAM cell; Low leakage; Low power;
机译:具有LV-TTL电平输入/输出引脚的高速低功耗多VDD CMOS / SIMOX SRAM —用于1V操作的存储单元的写/读辅助技术
机译:用于低功耗的65 nm CMOS技术中使用数据感知(DA)SRAM单元实现存储阵列的外围电路设计
机译:用于65 nm CMOS技术中SRAM设计的新写辅助技术
机译:SRAM存储器电池泄漏减少设计技术65 nm低功耗PD-SOI CMOS
机译:013μmCMOS技术的高速低功耗闪光A / D转换器的设计技术
机译:CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存
机译:用于移动多媒体应用的深层微米CMOS技术新型低功率SRAM位结构的设计与分析