用于小于20nm的鳍间距的新的自对准四重图案化工艺

摘要

提出了一种制造具有小于20nm的鳍间距的FinFET器件的方法。根据一些实施例，鳍沉积在侧壁间隔件上，侧壁间隔件本身沉积在芯轴上。芯轴可以通过光刻工艺形成，而鳍和侧壁间隔件通过沉积技术形成。