40 nm工艺SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究

徐玉婷; 孙静; 郭俊杰; 闫华

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对自主研发的40 nm工艺SRAM型FPGA电路的抗总剂量辐射能力进行摸底试验和分析.试验表明,采用普通商用40 nm工艺未做加固的FPGA电路抗总剂量辐射能力可达100 krad(Si),说明普通商用40 nm工艺本身具有一定的抗总剂量性能.同时验证了总剂量辐射引起的器件参数退化随栅氧化层厚度的减薄而下降.

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来源
《电子与封装》 |2017年第12期|42-4447|共4页
作者
徐玉婷; 孙静; 郭俊杰; 闫华;
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作者单位

无锡中微亿芯有限公司,江苏无锡 214072;

无锡中微亿芯有限公司,江苏无锡 214072;

中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072;

无锡中微亿芯有限公司,江苏无锡 214072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;
关键词
40nm; FPGA; 总剂量辐射; 试验;

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