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一种提高芯片可靠性的封装结构及其圆片级制作方法

摘要

本发明公开了一种提高芯片可靠性的封装结构及其圆片级制作方法,属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体和薄膜包封体,所述芯片单体的前后左右四个侧壁各设置加强结构,所述芯片单体由背面嵌入薄膜包封体内,在所述芯片单体的上表面和薄膜包封体的上表面覆盖绝缘薄膜层,并于所述芯片电极的上表面开设绝缘薄膜层Ⅰ开口,在绝缘薄膜层的上表面形成再布线金属层,所述再布线金属层与芯片电极实现电性连接,在再布线金属层的最外层设有输入/输出端,在输入/输出端处形成连接件,所述薄膜包封体的背面设置硅基加强板。本发明的封装方法通过圆片级封装工艺结合半刀工艺成形,节约了切割刀使用耗损,并提高了封装产品在使用过程中的可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN105304587A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江阴长电先进封装有限公司;

    申请/专利号CN201510807960.3

  • 申请日2015-11-20

  • 分类号H01L23/31(20060101);H01L23/535(20060101);H01L23/49(20060101);H01L23/12(20060101);H01L21/56(20060101);H01L21/60(20060101);H01L21/78(20060101);

  • 代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人赵华

  • 地址 214429 江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区(澄江东路99号)

  • 入库时间 2023-12-18 13:57:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-07

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L23/31 申请公布日:20160203 申请日:20151120

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-03-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/31 申请日:20151120

    实质审查的生效

  • 2016-02-03

    公开

    公开

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