法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-20
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/84 申请公布日:20151230 申请日:20150828
发明专利申请公布后的驳回
2016-01-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/84 申请日:20150828
实质审查的生效
2015-12-30
公开
公开
机译: 在NMOS沟道上具有应变SiGe鳍和应变Si覆层的CMOS FinFET器件
机译: 通过使用SiGe和/或Si:C进行栅极应力工程在体硅和SOI CMOS器件中制造无位错应力沟道的结构和方法
机译: 具有完全硅化栅电极的应变沟道CMOS器件