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竺士炀; 林成鲁; 高剑侠; 李金华;
中国科学院上海冶金研究所;
信息功能材料国家重点实验室;
中国科学院新疆物理研究所;
江苏石油化工学院功能材料实验室;
高温特性; BESOI; CMOS; 硅栅器件;
机译:低于400 $ ^ {circ} {rm C}〜{rm Si} _ {2} {rm H} _ {6} $钝化层,$ {rm HfO} _ {2} $栅介质和单TaN金属栅:用于$ {rm In} _ {0.7} {rm Ga} _ {0.3} {rm As} $和$ {rm Ge} _ {1-x} {rm Sn} _ {x} $的通用栅极堆叠技术CMOS
机译:双金属栅Si-CMOS的RuO / sub 2 /栅电极的电性能
机译:(110)表面取向Si衬底上超薄栅氧化物CMOS的电学特性
机译:用于高温金属栅CMOS的硅掺杂铝酸盐:Zr-Al-Si-O,一种用于低功率应用的新型栅电介质
机译:使用主体驱动和浮栅技术的低压CMOS模拟集成电路的分析和设计。
机译:用于CMOS图像传感器应用的全耗尽沟槽固定光敏栅
机译:双多金属(W / WNX / Poly-Si)栅电极CMOS晶体管的特性
机译:CmOs集成电路中栅氧化物短路的可靠性和电气特性
机译:包括具有包括具有硅锗(Si1-xGex)栅电极的MOS晶体管的CMOS集成电路的半导体器件及其制造方法
机译:具有带有具有硅锗(Si1-xGex)栅电极的MOS晶体管的集成CMOS电路的半导体器件及其制造方法
机译:具有带有硅锗(Si1-xGex)栅电极的MOS晶体管的集成CMOS电路的半导体器件及其制造方法
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