一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO2复合栅CMOS器件及工艺

摘要

本发明一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO2复合栅CMOS器件及工艺，所述工艺先分别按照铝栅工艺和硅栅工艺在在硅衬底上完成阈值注入，然后按改进的工艺依次生长SiO2栅氧层、形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层并形成SiO2氮氧硅层，最后完成之后相应的工艺流程；缺陷线在HTO层和SiO2层中随机分布，通过错位排列无法扩展到整个复合栅氧层，避免从HTO层上表面到SiO2层下表面形成的漏电通路问题，提高了栅氧的可靠性，在SiO2和HTO生长后增加了含氮气氛的退火工艺，减少了氧化层中的缺陷和陷阱，进一步提高栅氧的可靠性，并能减少辐射后器件的阈值漂移量从而提高抗总剂量辐射能力。