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陆妩; 任迪远; 郭旗; 余学锋; 张国强; 严荣良; 王明刚; 胡浴红; 赵文魁;
中国核学会;
中国电子学会;
CMOS运算放大器; 栅氧化层厚度; 电离辐射; 辐射效应; MOS器件;
机译:0.25微米双栅氧化层厚度CMOS工艺对多指深亚微米MOS器件闪烁噪声性能的影响
机译:在0.6- / splμ/ m双电压混合信号CMOS工艺中集成两种不同的栅氧化层厚度
机译:使用多个输入浮栅晶体管的CMOS运算放大器的低压AB类输出级
机译:具有双栅氧化层厚度的0.13 / spl mu / m CMOS技术的热载流子可靠性
机译:通过使用适度的反转来优化CMOS运算放大器的电压增益,热噪声和建立时间。
机译:基于CMOS电流反馈运算放大器的弛豫发生器用于电压传感器接口
机译:具有嵌入式浮栅的CMOS功能运算放大器
机译:栅氧化层厚度对硅栅CmOs辐射硬度的影响
机译:使用绝缘栅场效应晶体管的多输入CMOS放大器,高增益多输入CMOS放大器,高度稳定的多输入CMOS放大器,高增益,高稳定度的多输入CMOS放大器和多输入CMOS放大器
机译:具有变化的栅氧化层厚度并且具有不同且相似的导电型栅电极的CMOS结构
机译:使用4端子双绝缘栅场效应晶体管的CMOS放大器,使用相同的高增益多输入CMOS放大器的多输入CMOS放大器,高增益,高稳定度的多输入CMOS放大器和多输入CMOS放大器放大器
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