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黄君凯; 易清明; 刘伟平; 钟雨乐; 张坤;
暨南大学电子工程系;
金属—氮化硅—二氧化硅—硅结构; 存储陷阱分布; 高频容—压特性; SiO2—Si3N4栅介质膜; 陷阱特性; 非挥发性存储器;
机译:自动统计高级MOS栅堆叠的C-V和Ⅰ-Ⅴ特性的全量子分析
机译:含纳米氧化物TA2O5 / SiOxNY介电叠层的Al /介电/ Si结构的C-V和I-V特性的精致分析
机译:高频和低频下MF1S设备的C-V特性分析
机译:具有C-V特性的半导体栅绝缘子之间的界面陷阱密度分析
机译:电荷陷阱表征方法,用于评估ha基栅介电膜系统。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:用高频电流电压特性提取顶栅石墨烯晶体管近界面陷阱密度。
机译:脉冲激光沉积技术获得的nGaas-nInsb异质结的I-V和C-V特性。
机译:利用LTPS TFT中的栅-漏和栅-源C-V配置的晶粒边界横向分布的分析装置和方法
机译:低电荷陷阱金属栅和增强高k栅介电层的介电可靠性
机译:C-V特性测量系统和测量C-V特性的方法
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