退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:用高频电流电压特性提取顶栅石墨烯晶体管近界面陷阱密度。
Himanshu Madan; Matthew J. Hollander; Joshua A. Robinson; Suman Datta;
机译:高温下具有隧穿栅介质的金属氧化物半导体场效应晶体管中界面陷阱密度提取的改进直流电流电压方法
机译:顶栅石墨烯场效应晶体管的界面态密度提取
机译:包含接口陷阱的围栅金属氧化物半导体场效应晶体管的隐式连续电流电压模型
机译:利用高频电流电压特性提取顶栅石墨烯晶体管的近界面陷阱密度
机译:从界面陷阱处复合电流的线形中提取亚微米MOS晶体管中的沟道杂质浓度分布
机译:金属氧化物-石墨烯场效应晶体管:界面陷阱密度提取模型
机译:栅极驱动器电路,例如绝缘栅双极晶体管,具有电流互感器测量晶体管的电流,其中栅极的镜像电压根据晶体管的电流测量值而变化
机译:利用与频率和装置相关的电容-伏安特性提取非晶态氧化物薄膜晶体管的带隙态密度的方法
机译:界面水平的估计方法,晶体管特性的估计方法,晶体管的模拟方法,界面水平的参数提取方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。