栅氧化异常C-V特性的分析和监测样品处理方法

摘要

在我厂CMOS电路生产工艺中,常规栅氧化的C-V曲线经常出现不正常现象,但生产实践表明,它又不反映制成电路栅氧层的界面电荷特性。因此,无法通过测试栅氧后的C-V特性对MOS电路生产进行有效的工艺监控,这就提出了两个问题:1、为什么栅氧后呈现异常的CV特性曲线;2、怎样对栅氧化进行有效的工艺监控。