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齐鸣; 陈苹; 罗晋生;
西安交通大学电子工程系;
C-V; 测量; 半导体; 表面势; 陷阱密度;
机译:利用差动电容特性在扫描电容显微镜测量中的分布,在应变沟道晶体管中界面陷阱密度的空间分布
机译:使用差动电容特性在扫描电容显微镜测量中的分布来建立界面陷阱密度的理论模型
机译:建模高频电容-电压特性以量化SiO2 / SiC界面附近的陷阱分布
机译:用高频和准静态C-V技术测量n型干式热氧化6H-SiC mos二极管中的快,慢界面陷阱
机译:具有低界面陷阱和低泄漏密度的III-V CMOS上的高比例高介电常数氧化物。
机译:基于具有拟反相关界面的波纹金属薄膜的表面势垒异质结构中表面等离子-极化子的介电环境敏感性增强
机译:用高频电流电压特性提取顶栅石墨烯晶体管近界面陷阱密度。
机译:生产兼容的微电子测试结构,用于测量界面态密度和中性陷阱密度
机译:C-V特性测量系统和测量C-V特性的方法
机译:C-V特性测量系统和C-V特性测量方法
机译:一种MIS装置高频c-v特性的测量方法及装置
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