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陈鹏; 张荣; 周玉刚; 罗志云; 陈志忠; 谢世勇; 袁晓利; 沈波; 江若琏;
中国物理学会;
PECVD SiO,2/n-GaNMOS结构; 高频特性;
机译:AU / N-GaN / N-GaAs的低频和高频C-V特性
机译:高频和低频下MF1S设备的C-V特性分析
机译:非聚合有机化合物在p型Si衬底上升华形成的触点的低频和高频C-V特性
机译:研究和建模氧化锌基异质结构的高频C-V特性
机译:使用叔丁醇ha(IV)通过CVD和PECVD沉积的固态晶体管栅极应用的based基高k薄膜的特性表征。
机译:使用W用六烷烃与不同气体沉积的退火WC / C PECVD涂层的微观结构和力学性能
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机译:栅极电极对结构m-TmF sub 3 -siO sub 2 -si的C-V特性的影响
机译:C-V特性测量系统和测量C-V特性的方法
机译:C-V特性测量系统和C-V特性测量方法
机译:测量MIS设备的高频c-v特性的方法和装置
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