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机译:非聚合有机化合物在p型Si衬底上升华形成的触点的低频和高频C-V特性
Ataturk Univ, Fac Arts & Sci, Dept Phys, Erzurum, Turkey;
INTERFACE STATE DENSITY; METAL-SEMICONDUCTOR CONTACT; SCHOTTKY-BARRIER DIODES; ENERGY-LEVEL ALIGNMENT; ELECTRICAL CHARACTERISTICS; CAPACITANCE TECHNIQUE; SURFACE-STATES; HEIGHT; LAYER; DEVICES;
机译:在p型硅衬底上添加非聚合有机化合物溶液形成的触点的低频和高频特性
机译:非聚合有机化合物(pyronine-B)/ P型硅/ Sn接触势垒器件
机译:通过在p型硅上升华有机吡咯烷酮B形成的整流结的电导和电容频率特性
机译:在P型Ge衬底上形成的锗锗铜触点的电和微观结构表征
机译:镍/金和钯/金欧姆接触与清洁的p型氮化镓(0001)表面之间形成的界面的电,化学和结构表征。
机译:p型注入4H-SiC上形成的欧姆接触的纳米级电结构表征
机译:了解基于ANASSB的NBN红外探测器的$ C-V $特性,通过数值模拟,用N和P型阻挡层和P型屏障层