公开/公告号CN203706887U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-07-09
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州希美微纳系统有限公司;
申请/专利号CN201320750881.X
申请日2013-11-25
分类号
代理机构南京苏科专利代理有限责任公司;
代理人王玉国
地址 215021 江苏省苏州市园区金鸡湖大道99号
入库时间 2022-08-22 00:10:56
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-07-09
授权
授权
机译: 具有低介电常数和低膜应力的含硅绝缘层的形成方法以形成具有低膜应力的介电层而又不增加成本或牺牲膜特性的方法
机译: 具有改善的C-V线性度的电压可变电容器
机译: 具有改善的C-V线性度的电压可变电容器