机译:建模高频电容-电压特性以量化SiO2 / SiC界面附近的陷阱分布
机译:建模高频电容电压特性以量化SiO_2 / SiC界面附近的陷阱分布
机译:SiC / SiO2 SiC MOSFET接口陷阱分布对TCAD模拟评估C-V测量的影响
机译:局部深度瞬态瞬态光谱使用超高阶扫描非线性介电显微镜及其在成像SiO2 / SIC接口陷阱的二维分布中的应用
机译:在存在SiO2 / SiC界面陷阱和固定氧化物的情况下对4H-SiC DMOSFET的I-V-T特性建模
机译:不同接口钝化参数测量和模拟高频电容电压曲线的比较与评价
机译:N2O热处理后SiO2 / 4H-SiC界面的外观
机译:通过热氧化制备具有接近理想电容-电压特性的SiO2 / 4H-SiC(0001)界面
机译:siC上热siO2的界面特性。