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机译:建模高频电容电压特性以量化SiO_2 / SiC界面附近的陷阱分布
Department of Physics, Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia V5A 1S6, Canada;
Department of Physics, Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia V5A 1S6, Canada;
机译:建模高频电容-电压特性以量化SiO2 / SiC界面附近的陷阱分布
机译:通过热氧化制备具有接近理想电容-电压特性的SiO_2 / 4H-SiC(0001)界面
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