SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究

廖伟; 罗小蓉; 廖勇明; 洪根深; 龚敏

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SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究

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在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 .

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来源
《四川大学学报：自然科学版》 |2001年第s1期|48-52|共5页
作者
廖伟; 罗小蓉; 廖勇明; 洪根深; 龚敏;
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作者单位

四川大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
6H-SiC; MOS电容; γ辐照;

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