6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究

王鸥; 丁元力; 钟志亲; 袁菁; 龚敏; Chen X D; Fung S; Beling C D

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6H-SiC辐照特性的低温光致发光研究

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本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究.在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光中心.我们发现D1中心与深能级瞬态谱(DLTS)的E1/E2深能级对具有不同的退火行为,这否定了它们源于相同的辐照诱生缺陷的观点.D1中心可能源于由空位和反位组成的复合体.

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来源
《光散射学报》|2004年第1期|66-69|共4页
作者
王鸥; 丁元力; 钟志亲; 袁菁; 龚敏; Chen X D; Fung S; Beling C D;
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作者单位

四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

香港大学物理系,香港;

香港大学物理系,香港;

香港大学物理系,香港;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O472.3;
关键词
碳化硅; 低温光致发光; 辐照诱生缺陷; 退火;
入库时间 2023-07-25 22:51:16

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