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黄丽; 阮永丰;
运城学院物理与电子工程系;
运城044000;
天津大学理学院;
天津300072;
6H-SiC; 中子辐照; 缺陷; 晶格损伤; 退火回复; 吸收光谱;
机译:Bi2Sr2CaCu2O8 + x单晶的钉扎特性通过中子辐照随后热退火的变化
机译:350℃和600℃注入银的6H-SiC中热退火和中子辐照的影响
机译:中子辐照的6H-SiC单晶中的缺陷感应磁性
机译:中子辐照的4H-和6H-SiC单晶中的辐射诱导的缺陷
机译:改善中子俘获疗法中子辐照特性的物理工程研究(改善体内和中子辐照场的深剂量分布)
机译:基于不同波长效应的纳秒脉冲激光辐照多晶硅损伤特性的研究
机译:中子辐照单晶硅及其特性研究
机译:室温辐照和储存石墨中子损伤的退火。
机译:中子辐照的单晶硅-在将掺杂剂扩散通过晶体之前,先进行退火以消除辐射损伤
机译:同时重现研究反应堆中子辐照度特定值和伽马射线辐照剂量的方法
机译:减少中子辐照制造N掺杂硅过程中辐照造成的损伤的方法
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