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赵荣荣; 李连钢; 阮永丰;
天津大学理学院物理系;
6H-SiC; 中子辐照; 等时退火; XRD;
机译:Bi2Sr2CaCu2O8 + x单晶的钉扎特性通过中子辐照随后热退火的变化
机译:350℃和600℃注入银的6H-SiC中热退火和中子辐照的影响
机译:中子辐照的6H-SiC单晶中的缺陷感应磁性
机译:中子辐照的4H-和6H-SiC单晶中的辐射诱导的缺陷
机译:改善中子俘获疗法中子辐照特性的物理工程研究(改善体内和中子辐照场的深剂量分布)
机译:退火后碳离子辐照6H-SiC的再结晶引起的表面裂纹
机译:中子辐照单晶硅及其特性研究
机译:质子辐照和退火对YBa(sub 2)Cu(sub 3)O(亚7-(δ))单晶中临界电流密度的影响
机译:中子辐照的单晶硅-在将掺杂剂扩散通过晶体之前,先进行退火以消除辐射损伤
机译:消除中子辐照FZ硅单晶辐照缺陷的方法
机译:利用光束均化器,激光辐照方法和激光辐照设备以及非单晶半导体膜的激光退火方法
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