不同偏置条件下Si—SiO_2界面电离辐照的XPS研究

摘要

应用灵敏的表面分析技术XPS(x射线光电子能谱)对不同偏置条件下γ射线辐照的Si-SiO_2界面进行断层分析表明,SiO_2态下硅的2p结合能信号强度随辐照剂量的增加而减少,谱峰半宽则增加;且在正偏电场下辐照样品的信号强度明显低于未辐照样品及在负偏电场下辐照的样品,而谱峰半宽情形则相反。文中以应力键梯度模型为基础对实验结果作了解释。