不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响

摘要

对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件(基-射结反向偏置、正向偏置和零偏置)的电离辐射实验.结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异.基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著.而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小.最后,根据边缘电场,讨论了出现这种结果的内在机制.