机译:低于400 $ ^ {circ} {rm C}〜{rm Si} _ {2} {rm H} _ {6} $钝化层,$ {rm HfO} _ {2} $栅介质和单TaN金属栅:用于$ {rm In} _ {0.7} {rm Ga} _ {0.3} {rm As} $和$ {rm Ge} _ {1-x} {rm Sn} _ {x} $的通用栅极堆叠技术CMOS
Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore;
${rm Si}_{2}{rm H}_{6}$ passivation , GeSn pMOSFET , InGaAs nMOSFET;
机译:高$ f _ {{rm max}} $高约翰逊品质因数0.2- $ mu {rm m} $硅衬底上具有$ {rm AlN} / {rm SiN} _ {{rm的栅极AlGaN / GaN HEMT x}} $钝化
机译:识别双层$ {rm SiO} _ {rm x} / {rm HfSiON} $栅介质叠层中失败的第一层
机译:具有HfLaO栅极电介质的金属栅MOS器件的$ V_ {rm fb} $和$ V_ {rm th} $宽可调性
机译:迈向高性能Ge1-xSnx和In0.7Ga0.3As CMOS:一种新颖的通用栅叠层,具有低于400°C的Si2H6钝化,单TaN金属栅和低于1.3 nm的EOT
机译:背根神经节的电压门控钠通道的钠(v)1.7和钠(v)1.8大鼠亚型的生物物理特征:辅助β亚基和蛋白激酶A和C的调节。
机译:通过分解差分放大器实现具有密度可缩放的有源读出像素的4.8μVrms噪声CMOS微电极阵列
机译:Les ensembles d'habitatindividuelfermésenIle-de-France。 Des morphologies surprenantes,àl'encontredes imagessupposées大巴黎地区的封闭式单户住宅开发项目。令人惊讶的形式,对抗常见的图像