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詹娟;
东南大学微电子中心;
SOI; 硅片直接键合; CMOS; 硅器件; 集成电路;
机译:具有单轴应变(110)沟道的SOI FinFET的电子迁移率和短沟道器件特性
机译:具有“无重叠”架构的两栅极SOI CMOS纳米晶体管的特性中的短沟道效应最小化
机译:短沟道累积模式SOI PMOS器件中的电流传导分析
机译:高性能VLSI结构-SOI / SDB互补掩埋沟道MOS(CBCMOS)IC
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:使用沟道层的单步沉积的薄膜互补金属氧化物半导体(CMOS)器件
机译:绝缘体上低于100 nm渐变沟道的全耗尽硅(SOI)的模拟和短沟道效应性能 ud ud
机译:63-meV,1-mrad(si)质子辐照后0.35-(μm)sOI CmOs器件和微功率前置放大器的噪声性能
机译:使用铟的有源区注入方法可增强表面沟道PMOS器件的短沟道性能
机译:降低SOI CMOS器件中N沟道晶体管的硅厚度
机译:SOI CMOS器件中N沟道晶体管硅厚度的减小
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