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短沟道SOI/SDB CMOS器件性能研究

         

摘要

利用硅栅自对准全离子注入工艺制备了SOI/SDBCMOS器件,讨论了该器件的短沟道效应、“Kink”效应以及SOI硅膜厚度对NMOS、PMOS管参数的影响。

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