短沟道CMOS/SIMOX器件及电路的辐照特性研究

摘要

利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ，ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别 为３×１０＾５ｒａｄ（Ｓｉ）和７×１０＾５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ。