使用N沟道和P沟道氮化镓晶体管的CMOS电路

摘要

CMOS电路可以使用p沟道氮化镓晶体管和n沟道氮化镓晶体管来形成，其中，p沟道氮化镓晶体管和n沟道氮化镓晶体管两者都形成在单个分层结构上，该单个分层结构包括沉积在第一氮化镓层上的极化层和沉积在极化层上的第二氮化镓层。在同一层结构上具有n沟道氮化镓晶体管和p沟道氮化镓晶体管两者可以实现电路包括从低电源电压跨越到高电源电压的逻辑、数字、和模拟电路的“全氮化镓晶体管”的实施方式。