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功率晶体管; N沟道; 塑料封装; 小型化设计; 移动设备; 紧凑型; 半导体; 恩智浦;
机译:蓝宝石衬底上GaN中的发光功率集成电路的发光二极管和功率金属氧化物半导体沟道高电子迁移率晶体管的单片集成
机译:低压N沟道沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道端接设计与分析
机译:常规CMOS全加法器的晶体管数优化on6;亚阈值沟道长度的双阈值节点设计优化了新实现的18晶体管全加器的功率和延迟
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短路沟道的短路沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
机译:功率金属氧化物半导体晶体管例如用于集成电路的功率绝缘栅双极晶体管具有以沟道区为特征的反相沟道,形成在主体区的一部分中并布置在一个半导体层中
机译:具有短沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短沟道的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
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