CIRCUITS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; METAL OXIDE SEMICONDUCTORS; SOI (SEMICONDUCTORS); OPERATING TEMPERATURE; ELECTRONIC PACKAGING; COMMERCIAL OFF-THE-SHELF PRODUCTS; CRYOGENIC TEMPERATURE; HIGH TEMPERATURE;
机译:在退火温度下进行等离子体氮化处理后的28 nm N沟道场效应晶体管的扭结效应
机译:0.13μm技术的n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管在高温下直流热载流子降解的研究
机译:高性能n沟道场效应晶体管的受主-受主型异靛蓝共聚物
机译:宽工作温度范围内n通道增强模式场效应晶体管的总剂量辐射响应
机译:通过合理的设计,合成,计算模型和与温度有关的场效应晶体管研究,使n通道低聚物和聚合物半导体成为可能
机译:基于再生和注入方法的N沟道GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的制作和评估
机译:ZrO2门控n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中沟道迁移率的温度依赖性降解机理
机译:sOI N沟道场效应晶体管,CHT-NmOs80,适用于极端温度