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机译:在退火温度下进行等离子体氮化处理后的28 nm N沟道场效应晶体管的扭结效应
DPN; drain leakage; gate-last; gate leakage; high-k; interface state; kink effect; metal gate;
机译:在退火温度下进行等离子体氮化处理后的28 nm N沟道场效应晶体管的扭结效应
机译:使用去耦等离子体氮化处理的电气应力探测28nm HK / mg NMOSFET的回收效率
机译:等离子辅助表面处理,用于AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管上的低温退火欧姆接触
机译:不同氮化退火温度下28nm HK / MG nMOSFET的电压应力暴露退化率
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于不同温度退火双层MWCNTs-In2O3薄膜的扩展栅场效应晶体管pH传感器的研究
机译:ZrO2门控n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中沟道迁移率的温度依赖性降解机理
机译:sOI N沟道场效应晶体管,CHT-NmOs80,适用于极端温度