LDD后热处理工艺对28nm PMOSFET短沟道效应的影响

摘要

Si MOSFET作为大规模集成电路的基础,沟道长度是决定其运行速度和集成度的重要参数.随着Si MOSFET器件尺寸不断缩小,短沟道效应(即器件阈值电压随沟道长度减小不断降低的现象)越来越严重.基于28 nm低功耗逻辑平台,研究了LDD后热处理工艺对PMOSFET器件短沟道效应的影响及物理机制.实验结果表明,通过优化热处理温度,可以显著改善PMOSFET器件短沟道效应,实现在较低pocket离子注入剂量下达到同样阈值电压的目的.TCAD工艺及器件仿真结果表明,热处理温度调节器件短沟道效应的主要物理机制是其对pocket离子注入杂质激活率的影响.