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Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong
Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong
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1.
Application of shape memory alloy as detector material for far-infrared imaging transducers
机译:
形状记忆合金作为远红外成像换能器检测材料的应用
作者:
Ho H.P.
;
Chung C.Y.
;
Ng K.C.
;
Cheng K.L.
;
Wu S.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
infrared imaging;
infrared detectors;
nickel alloys;
titanium alloys;
metallic thin films;
shape memory effects;
angular measurement;
Michelson interferometers;
martensitic transformations;
light reflection;
Michelson interferometer;
uncooled Ni-Ti S;
2.
Application of differential phase measurement technique to surface plasmon resonance imaging sensors
机译:
相位测量技术在表面等离子体共振成像传感器中的应用
作者:
Ho H.P.
;
Lam W.W.
;
Wong P.L.
;
Guo F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
biosensors;
medical image processing;
surface plasmon resonance;
light polarisation;
light interference;
phase measurement;
surface plasmon resonance imaging sensors;
differential phase measurement techniques;
optical SPR sensors;
s-polarisation refe;
3.
Approaches and options for modeling sub-0.1 /spl mu/m CMOS devices
机译:
低于0.1 / spl mu / m CMOS器件建模的方法和选项
作者:
Mansun Chan
;
Xuemei Xi
;
Jin He
;
Chenming Hu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
surface potential;
MOSFET;
semiconductor device models;
CMOS device model;
MOSFET;
surface potential based model;
charge based model;
conductance based model;
BSIM model;
accelerated technology;
software engineering methodology;
0.1 micron;
4.
Characteristics of high quality hafnium oxide gate dielectric
机译:
高质量氧化ha栅极电介质的特性
作者:
Zhan N.
;
Ng K.L.
;
Poon M.C.
;
Kok C.W.
;
Chan M.
;
Wong H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
hafnium compounds;
rapid thermal annealing;
X-ray photoelectron spectra;
dielectric thin films;
sputter deposition;
permittivity;
interface structure;
interface states;
electronic density of states;
tunnelling;
semiconductor-insulator boundaries;
MOS;
5.
Design of multi-finger HBTs with a thermal-electrical model
机译:
用热电模型设计多指HBT
作者:
Yang-Hua Chang
;
Chen-Chun Chang-Chiang
;
Yueh-Cheng Lee
;
Chi-Chung Liu
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
temperature distribution;
heterojunction bipolar transistors;
semiconductor device models;
multi-finger HBT design;
temperature distribution;
emitter finger;
heterojunction bipolar transistor;
three-dimensional thermal-electrical model;
6.
Electrical characteristics of novel hafnium oxide film
机译:
新型氧化oxide薄膜的电学特性
作者:
Ng K.L.
;
Zhan N.
;
Poon M.C.
;
Kok C.W.
;
Chan M.
;
Wong H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
hafnium compounds;
dielectric thin films;
permittivity;
MOSFET;
MOS capacitors;
integrated circuit testing;
capacitance;
electric current;
interface states;
X-ray photoelectron spectra;
electrical characteristics;
hafnium oxide film;
direct sputterin;
7.
Enhanced reliability for gate dielectric of low-temperature polysilicon thin-film transistors by NO-plasma nitridation
机译:
NO等离子体氮化提高了低温多晶硅薄膜晶体管栅极电介质的可靠性
作者:
Or D.C.T.
;
Lai P.T.
;
Sin J.K.O.
;
Xu J.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
thin film transistors;
plasma materials processing;
nitridation;
semiconductor device reliability;
dielectric thin films;
liquid crystal displays;
flat panel displays;
low-temperature techniques;
nitrogen compounds;
gate dielectric reliability;
low-t;
8.
Feasibility of 50-nm device manufacture by 157-nm optical lithography: an initial assessment
机译:
通过157 nm光刻技术制造50 nm器件的可行性:初步评估
作者:
Pong Wing Tai
;
Wong A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
ultraviolet lithography;
photoresists;
masks;
integrated circuit technology;
aberrations;
optical focusing;
nanotechnology;
integrated circuit manufacture;
device manufacture;
UV optical lithography;
normalized process latitude;
NPL quantification;
p;
9.
High-current injection in Spreading-Resistance Temperature sensor on SOI
机译:
SOI上的扩散电阻温度传感器中的大电流注入
作者:
Wu Z.H.
;
Lai P.T.
;
Bin Li
;
Sin J.K.O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
silicon-on-insulator;
temperature sensors;
high-current injection;
spreading-resistance temperature sensor;
SOI technology;
silicon film;
doping concentration;
conductivity modulation model;
Si;
10.
High-speed mixed signal and RF circuit design with compact waffle MOSFET
机译:
紧凑型华夫MOSFET的高速混合信号和RF电路设计
作者:
Xibo Zhang
;
Sang Lam
;
Ko
;
P.K.
;
Mansun Chan
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
high-speed integrated circuits;
mixed analogue-digital integrated circuits;
field effect MMIC;
UHF integrated circuits;
delays;
CMOS integrated circuits;
operational amplifiers;
high-speed mixed signal circuit;
high-speed RF circuit;
compact waffle M;
11.
High-temperature quasi-saturation model of high-voltage DMOS power devices
机译:
高压DMOS功率器件的高温准饱和模型
作者:
Yang C.L.
;
Kuo J.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
power MOSFET;
semiconductor device models;
high-temperature electronics;
high-temperature quasi-saturation model;
high-voltage DMOS power device;
analytical model;
MEDICI simulation;
300 to 400 K;
12.
Numerical study of one-fold coordinated oxygen atom in silicon gate oxide
机译:
硅栅氧化物中一个配位氧原子的数值研究
作者:
Gritsenko V.A.
;
Shaposhnikov A.
;
Novikov Yu.N.
;
Baraban A.P.
;
Hei Wong
;
Zhidomirov G.M.
;
Roger M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
electron traps;
impurity states;
radiation hardening (electronics);
integrated circuit modelling;
oxidation;
MOS integrated circuits;
dielectric thin films;
density functional theory;
MIS structures;
silicon compounds;
ab initio calculations;
one-fol;
13.
Planar optical waveguide amplifiers
机译:
平面光波导放大器
作者:
Pun E.Y.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
optical planar waveguides;
waveguide lasers;
optical repeaters;
optical transmitters;
doping profiles;
erbium;
ytterbium;
reviews;
planar optical waveguide amplifiers;
erbium doped waveguide devices;
planar rare earth doped waveguide amplifiers;
tele;
14.
The fringing electric field effect on the short-channel effect threshold voltage of FD SOI NMOS devices with LDD/sidewall oxide spacer structure
机译:
边缘电场对具有LDD /侧壁氧化物隔离层结构的FD SOI NMOS器件的短沟道效应阈值电压的影响
作者:
Kuo J.B.
;
Shih-Chia Lin
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
CMOS integrated circuits;
silicon-on-insulator;
doping profiles;
Poisson equation;
MOSFET;
semiconductor device models;
electric fields;
fringing electric field effects;
short-channel effect threshold voltage;
fully depleted SOI NMOS device;
LDD/side;
15.
The gate misalignment effects of the sub-threshold characteristics of sub-100 nm DG-MOSFETs
机译:
100 nm以下DG-MOSFET的亚阈值特性的栅极失准效应
作者:
Hiu Yung Wong
;
Kyoungsub Shin
;
Mansun Chan
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
MOSFET;
gate misalignment;
subthreshold characteristics;
asymmetric double-gate MOSFET;
symmetric double-gate MOSFET;
nonself-aligned double-gate process;
100 nm;
16.
Application of spectral surface plasmon resonance for gas pressure sensing
机译:
光谱表面等离子体激元共振在气压传感中的应用
作者:
Ho H.P.
;
Wong C.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
surface plasmon resonance;
pressure sensors;
gold;
refractive index;
pressure sensor;
spectral response;
surface plasmon resonance;
gold surface;
refractive index;
nitrogen gas;
signal processing algorithm;
Au;
N/sub 2/;
17.
Effects of Nb concentration on photo-electrical properties of Sr/sub 1-x/La/sub x/Nb/sub y/Ti/sub 1-y/O/sub 3/ thin-film resistor
机译:
Nb浓度对Sr / sub 1-x / La / sub x / Nb / sub y / Ti / sub 1-y / O / sub 3 /薄膜电阻器光电性能的影响
作者:
Bin Li
;
Lai
;
P.T.
;
Huang
;
M.Q.
;
Li
;
G.Q.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
thin film resistors;
strontium compounds;
lanthanum compounds;
photodetectors;
sputter deposition;
ion beam assisted deposition;
semiconductor device measurement;
semiconductor materials;
Nb concentration effects;
photo-electrical properties;
Sr/sub;
18.
Raman spectroscopy study on free-standing GaN separated from sapphire substrates by 532 nm Nd:YAG laser lift-off
机译:
拉曼光谱研究通过532 nm Nd:YAG激光剥离从蓝宝石衬底分离的自支撑GaN
作者:
Ho H.P.
;
Lo K.C.
;
Siu G.G.
;
Surya C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
gallium compounds;
wide band gap semiconductors;
laser materials processing;
semiconductor thin films;
Raman spectra;
energy gap;
absorption;
surface structure;
semiconductor technology;
pyrolysis;
scanning electron microscopy;
Nd:YAG laser lift-off;
19.
Synthesis and characterization of SrTiO/sub 3/ thin films by a modified metalorganic decomposition technique
机译:
改进的金属有机分解技术合成SrTiO / sub 3 /薄膜及表征
作者:
Ng
;
T.B.
;
Xu
;
J.B.
;
Hu
;
G.D.
;
Cheung
;
W.Y.
;
Ke
;
N.
;
Wilson
;
I.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
pyrolysis;
annealing;
strontium compounds;
permittivity;
dielectric thin films;
dielectric losses;
leakage currents;
capacitance;
current density;
SrTiO/sub 3/ thin films;
modified metalorganic decomposition technique;
strontium titanate thin films;
20.
Sensitivity improvement of the surface plasmon resonance optical sensor by using a gold-silver transducing layer
机译:
通过使用金银转换层提高表面等离子体共振光学传感器的灵敏度
作者:
Wu S.Y.
;
Ho H.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 2002. Proceedings. 2002 IEEE Hong Kong》
|
2002年
关键词:
gold;
silver;
biosensors;
chemical sensors;
surface plasmon resonance;
optical sensors;
metal-insulator boundaries;
metallic thin films;
Fresnel diffraction;
spectral SPR biosensors;
gold-silver transducing layer;
surface plasmon resonance optical se;
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