一种Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件

摘要

本发明提供了一种Fin沟道结构SiC场效应晶体管器件，该器件从下到上依次为包括n+SiC衬底，n‑漂移层，p阱区，p+区，n+区，以及在器件表面上的栅介质，栅极、源极和底部的漏极，在器件的沟道部分设置有周期性排列的台面，形成Fin台面结构；此外，在所述台面上、台面下以及台面的两个侧壁均设置MOS沟道。本发明通过设置Fin台面结构，使SiC场效应晶体管的沟道密度显著增加，即在保持原胞尺寸和原胞密度不变的前提下，单位芯片面积的沟道宽度显著增加，有效降低了器件的沟道电阻。使整个器件的导通电阻可以得到很大的减少。