退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
党冀萍;
半导体材料; 反型沟道; 掩埋沟道; MOS器件;
机译:6H-SiC中反向沟道和掩埋沟道MOS器件的特性
机译:隧道电流和沟道电阻对sub-20- / spl Aring /栅氧化物MOSFET的沟道反型层电荷和多晶硅栅耗尽特性的影响
机译:使用沟道预非晶化制造的浅掺杂层的埋沟道pMOS器件的特性
机译:溅射外延法形成的SiGe掩埋沟道型P-MOSFET的特性控制
机译:具有自洽价子带结构和高k绝缘体的应变锗和钒III p沟道反型层中的空穴迁移率。
机译:具有部分低掺杂沟道的改进型4H-SiC MESFET
机译:具有邻近(1°)偏角的C(000-1)外延衬底上制作的4H-siC mOsFET的高反型沟道迁移率
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:包括至少两个相邻NMOS器件的集成电路-具有隔离沟道区,该隔离沟道区形成在公共衬底上的器件之间,该隔离沟道区被配置为减小连续NMOS器件之间的寄生效应
机译:用于薄外延RESURF集成电路的n沟道和p沟道MOS器件为零高张力,其中它包括HVp沟道和n沟道
机译:沟槽门型MOS器件的平均平均沟道深度和开关特性的评估方法及芯片的选择方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。