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机译:6H-SiC中反向沟道和掩埋沟道MOS器件的特性
机译:使用沟道预非晶化制造的浅掺杂层的埋沟道pMOS器件的特性
机译:用于表征4H-SiC / SiO_2接口的反向沟道MOS器件
机译:在77 K下工作的埋沟式PMOS器件的解析延迟关闭模型
机译:考虑不完全电离的6H-SiC埋沟道NMOS器件的解析延迟关闭模型
机译:用于分子存储设备的氧化还原活性单层的电化学特性。
机译:成人和儿童Sputnik左心室辅助设备模拟循环支持期间能量特征的血液动力学分析研究进展
机译:埋沟NmOsFET中掺杂浓度对4H-siC CmOs器件电性能的影响
机译:电气过压导致mOs(金属氧化物半导体)器件噪声特性的降低