机译:在77 K下工作的埋沟式PMOS器件的解析延迟关闭模型
机译:一个封闭形式的分析性正向渡越时间模型,考虑了在77 K下工作的BJT器件的带隙变窄效应模型和浓度依赖性扩散系数的特定模型
机译:用于SiGe沟道超薄SOI PMOS器件的解析背栅偏置相关阈值电压模型
机译:77 K vs 300 K操作:DMOS器件的准饱和行为及其完全解析模型
机译:考虑不完全电离的6H-SiC埋沟道NMOS器件的解析延迟关闭模型
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:MRI医疗设备安全性的数值模拟和分析模型综述
机译:基于物理的阈值电压控制分析建模 完全耗尽的sOI双栅NmOs-pmOs柔性FET