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胡晓明;
上海华力微电子有限公司,上海201203;
OTP ; 热载流子 ; P型MOS-FET; 浮栅; 选择栅; Silicide Block;
机译:PMOS器件的基于Pt的金属化,可在硅上实现半导体/ Yba_2Cu_3O_(7-δ)超导器件的兼容单片集成
机译:采用深亚微米CMOS技术的PMOS触发SCR器件实现ESD初始保护概念
机译:使用PMOS器件在POSFET传感器弱反转时实现高值电阻的方法
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:磷光有机发光器件:工作原理和铱基发射体材料
机译:PMOS器件中SiGe源/漏极层生长中原位硼掺杂的研究
机译:纳米级固态器件基本工作原理的确定:设计与施工。
机译:半导体晶片和使用其制造半导体器件的方法,能够通过6F2结构实现NMOS或PMOS晶体管产生的晶体缺陷
机译:在硅衬底上提供nMOS器件和pMOS器件的方法以及包括nMOS器件和pMOS器件的硅衬底
机译:在硅衬底上提供NMOS器件和PMOS器件的方法以及包括NMOS器件和PMOS器件的硅衬底
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