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两次沟道注入对SOI PMOS器件特性的改进研究

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SOI PMOS的背栅为零伏时,相对于源来说是负电压,容易造成漏电.通过优化两次沟道注入的剂量和能量,制备的SOI PMOS器件背沟道阈值电压大于-10V,漏电小于0.1nA,能够满足实际应用的要求.

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来源
《第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会》|2003年|523-526|共4页
会议地点北京
作者
赵洪辰; 海潮和; 韩郑生; 钱鹤; 连军;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类结构、器件;
关键词
两次沟道注入; SOI PMOS器件; 背沟道阈值;

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