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机译:隧道电流和沟道电阻对sub-20- / spl Aring /栅氧化物MOSFET的沟道反型层电荷和多晶硅栅耗尽特性的影响
机译:栅极隧穿浮体充电对0.10μm-CMOS部分耗尽SOI MOSFET的漏极电流瞬变的影响
机译:辐射引起的反向沟道泄漏和反向栅极偏置对薄栅氧化物部分耗尽绝缘硅上n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的漏电流瞬态的影响
机译:考虑结耗尽区和通道移动电荷载流子的全能栅极隧道FET的势能和漏极电流建模
机译:从价带电子隧穿产生的衬底电流中提取低于20 / spl Aring /的N和P沟道MOSFET的栅极氧化层厚度
机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:识别电压依赖性通道中易位的门控电荷。平面磷脂双层膜中的Colicin E1通道
机译:使用氧化亚氮(N2O)中生长的栅极氧化物增强4H-siC mOsFET中的反转沟道迁移率
机译:无意离散电荷对薄体双栅极mOsFET的标称无效通道的影响:经典到全量子模拟