スパッタエピタキシ一法で形成したSiGe埋め込みチヤンネル型P-MOSFETの特性制御

摘要

半導体デバイスの高速化に関して，Si/Si1-xGex,ヘテロ構造を用いてキヤリァ移動度の向上を図る 研究開発が進展している.我々はこれまでに，Si/Si1-xGe,系多層膜成長方法として環境軽負荷型の スパッタエピタキシー法を開発して，Si/Si1-xGexヘテロ構造を作製し，化学気相成長（CVD)法や ガスソース分子線エピタキシー（GSMBE)法と比較しても遜色のない高い結晶性が得られる結晶 成長を実現した[1-3].今回，本スパッタエピタキシー法を用いて，埋め込みチャネル型p-MOSFET を作製し，Ge組成比に伴うFET特性の変化を取得した.