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CMOS INPUT LEVEL SHIFTING CIRCUIT WITH TEMPERATURE-COMPENSATING N-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE

机译:具有温度补偿N通道场效应晶体管结构的CMOS输入电平转换电路

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号GB2225913B

    专利类型

  • 公开/公告日1990-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 * BURR-BROWN CORPORATION;

    申请/专利号GB19890027594

  • 发明设计人 JAMES T * DOYLE;

    申请日1989-12-06

  • 分类号H01L21/8238;H01L27/02;H01L27/092;H03F1/30;H03F3/345;H03K19/003;H03K19/0185;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-22 06:08:56

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