新型集成电路或分立元件平面凸点式封装工艺及其封装结构

摘要

本发明涉及一种新型集成电路或分立元件平面凸点式封装工艺及其封装结构，工艺步骤：取一片金属基板材(1)正、背两面各自贴上干膜层(2、3)，将上层的部分干膜去除掉，准备形成基岛及引脚，正面镀上活化物质(4.3、4.4)和金属层(4.1、4.2)，去除金属基板(1)上层余下的干膜，半蚀刻，去除基板背面的干膜层(3)，芯片(6)的植入，打金属线(7)，包封塑封体(8)作业，在金属基板(1)背面再次贴上干膜层(10)，半蚀刻区(1.3)背面的干膜，半蚀刻区(1.3)余下部分的金属(1.4)再次进行蚀刻，从而使基岛(1.1)及引脚(1.2)的背面凸出于塑封体(8)，去除余下的干膜，表面镀上活化物质(11.3、11.4)和金属层(11.1、11.2)，塑封体(9)正面贴上胶膜(12)，切割。本发明焊性能力强、品质优良、成本较低、生产顺畅、适用性较强、多芯片排列灵活、不会发生塑封料渗透的种种困扰。