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公开/公告号CN1471735A
专利类型发明专利
公开/公告日2004-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司;
申请/专利号CN01818140.6
发明设计人 S·巴德尔;M·费雷尔;B·哈恩;V·海勒;H·J·卢高尔;
申请日2001-08-31
分类号H01L33/00;H01S5/323;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人苏娟
地址 德国雷根斯堡
入库时间 2023-12-17 15:09:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-05-26
授权
2004-04-07
实质审查的生效
2004-01-28
公开
机译: 基于III-V族氮化物材料的辐射辐射半导体芯片的制造方法及对应的辐射辐射半导体芯片
机译:室温下在Ⅲ-Ⅴ族半导体芯片上直接产生钟形
机译:演示了一种可以集成在半导体芯片上的新型激光冷却方法-成功地仅通过光辐射降低了机械换能器的热噪声
机译:III族氮化物半导体 - 衬底在蓝宝石R-Surface Offst字上产生的偏角依赖性
机译:在室温下III-V半导体芯片在III-V半导体芯片上产生
机译:产生并使用太赫兹辐射来探索半导体和金属纳米结构的载流子动力学。
机译:单片半导体芯片产生的固有极化纠缠
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