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目录
第一章 绪 论
1.1 半导体输运研究背景及意义
1.2 III-V 族氮化物半导体输运研究现状
1.3 本文的主要研究工作与内容安排
第二章 蒙特卡洛输运模拟原理
2.1 输运方法概述[2.1]
2.2 蒙特卡洛方法输运原理
2.3 蒙特卡洛平台开发
2.4 本章小结
第三章 III-V 族氮化物半导体瞬态输运研究
3.1 瞬态研究的必要性
3.2 速度上冲和电子弛豫过程研究
3.3 速度下冲研究
3.4 本章小结
第四章 III-V 族氮化物动量和能量弛豫时间模型研究
4.1 研究能量弛豫时间模型的必要性
4.2 能量和动量弛豫时间计算方法
4.3 纤锌矿 GaN,InN 和 AlN 动量弛豫时间和能量弛豫时间机制研
4.4 本章小结
第五章 III-V 族氮化物半导体稳态输运研究
5.1 稳态输运研究的必要性
5.2 扩散系数研究
5.3 低场迁移率研究
5.4 高场输运研究
5.5 本章小结
第六章 基于蒙特卡洛的耿氏二极管太赫兹源输运研究
6.1 基于耿氏二极管的太赫兹研究
6.2 蒙特卡洛方法和泊松方程耦合输运研究[6.27-6.30]
6.3 均匀掺杂耿氏二极管仿真结果
6.4 本章小结
第七章 结束语
7.1 论文工作总结及主要创新点
7.2 未来工作展望
致谢
参考文献
攻读博士学位期间的研究成果