サファイアR面オフ基板上に作製したIII族窒化物半導体－基板オフ角依存性

摘要

従来、サファイアR面基板上にGaNを成長させる場合、結晶性が比較的良好でかつ平坦な膜を得るために数十μm程度の厚膜成長が必要であった。 本報告では、サファイア基板のオフ角を制御することによって、薄膜でも結晶性·平坦性の改善が可能であることを見出したので報告する。