首页> 外文OA文献 >2. アモルファス半導体の結晶学 : 真空蒸着により作製したアモルファスGe-X(X=Sb,Sn)合金薄膜の結晶化(富山大学大学院理学研究科,修士論文題目・アブストラクト(1986年度),その2)
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2. アモルファス半導体の結晶学 : 真空蒸着により作製したアモルファスGe-X(X=Sb,Sn)合金薄膜の結晶化(富山大学大学院理学研究科,修士論文題目・アブストラクト(1986年度),その2)

机译:2.非晶态半导体的晶体学:通过真空气相沉积法制备的非晶态Ge-X(X = Sb,Sn)合金薄膜的晶化(富山大学研究生院,硕士论文/摘要(1986年),第2部分)

摘要

この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。
机译:该论文由美国国家信息学研究所的电子图书馆业务进行了数字化处理。

著录项

  • 作者

    遠藤 壮;

  • 作者单位
  • 年度 1987
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 ja
  • 中图分类
  • 入库时间 2022-08-20 20:31:30

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