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2.3.2拉曼散射光谱测试方法
4.1引言
4.4.5 PL光谱测试结果及分析
曾奇宇;
西安电子科技大学;
机译:氮化物对氢化物气相外延生长在m-蓝宝石衬底上的GaN层取向的影响
机译:纳米生长的AGGO蓝宝石衬底上III族氮化物发光二极管的金属有机气相外延生长
机译:在氢化物气相外延中通过HCl化学反应蚀刻,从m面蓝宝石衬底上实现2 in。独立式m面GaN晶片与m面蓝宝石衬底的新型原位自分离
机译:随着量子点作为在蓝宝石衬底上生长的缓冲层,通过分子束外延在蓝宝石衬底上改善GaN膜的晶体质量
机译:通过MOCVD增强了蓝宝石衬底上的III型氮化物HEMT的器件性能。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:降低异质外延III氮化物层中的位错密度:蓝宝石衬底处理的效果(综述)
机译:(摘要)硅 - 蓝宝石衬底上的外延高T(sub c)sNs弱连接
机译:在m-平面蓝宝石衬底上形成氮化物薄膜的方法和由其制造的氮化物半导体
机译:在M平面蓝宝石衬底上形成氮化物薄膜的方法和由该方法制造的氮化物半导体
机译:III族氮化物衬底的制造方法,III族氮化物衬底,具有外延层的III族氮化物衬底,III族氮化物器件,具有外延层的III族氮化物衬底的制造方法以及III族氮化物器件的制造方法
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